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T/CASAS_009—2019半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法12页

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T/CASAS_009—2019半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法简介

【标准说明】本标准规定了用二次离子质谱仪测定半绝缘碳化硅材料中痕量杂质(铝、钒)浓度及分布的方法。本标准适用于半绝缘碳化硅材料中痕量杂质(铝、钒)浓度及分布的分析,其中铝、钒的浓度均大于 1×1015 atoms/cm3。其它杂质的检测可参照本标准。
【标准号】T/CASAS 009—2019
【中文标准名称】半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
【英文标准名称】Determination of Trace Impurities Concentration and Distribution in Semi-insulating SiC Materials by Secondary Ion Mass Spectrometry
【国际标准分类号】31.080.01 半导体器分立件综合
【发布日期】2019/11/25
【实施日期】2019/11/25

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